摘 要：本文设计一种工作在200mv电源电压下的7T亚阈值SRAM位单元。双端写入和单端读取保证不损耗可写性下获得较高的读取静态噪声容限（SNM）。
关键词：亚阈值；SRAM；静态噪声容限；大容量；稳定性
1、概述
亚阈值逻辑电路在超低能耗应用中越来越流行。亚阈值晶体管特性与超阈值晶体管特性显著不同。由于静态噪声容限（SNM）退化、开关电流比率(I on /I off）减少、对工艺变化敏感等原因，超阈值SRAM位单元 T.H. Kim, J. Liu, J. Keane, and C.H. Kim, “A 0.2V, 480 kb Subthreshold SRAM With 1k Cells Per Bitline for Ultra-Low-Voltage Computing, ” IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 43, no. 2, pp.518 – 529, 2008.
中国论文网(www.lunwen.net.cn)免费学术期刊论文发表,目录,论文查重入口,本科毕业论文怎么写,职称论文范文,论文摘要,论文文献资料,毕业论文格式,论文检测降重服务。
